H5620/H5620ES

内存环境(高速老化BI)测试系统

由于服务器和移动应用主要引领了存储器的发展,并且市场也进入了一个超级周期,完全退出了以前的硅周期。

随着数据处理和移动通信的应用,存储器容量将继续扩增。然而,收入不会随着ASP的下降而增长。供应商需要降低测试成本并增加利润。

H5620集成了DRAM老化(BI)和核心(Core)测试的测试流程,有助于降低测试成本。这种混合存储器测试解决方案解决了在不断扩大的DRAM市场中降低测试成本的同时,提高测试效率的难题。

  • H5620

  • H5620ES

高通量

  • 与T558x(512台设备)相媲美的高并行测试容量(16,896台设备)

装机条件优化

  • 减少核心测试仪的配件、设备
  • 减少生产空间
  • 减少BI到核心测试之间的损失时间
  • 支持全自动化(无人生产)

继承测试仪操作系统(FutureSuite)

  • 缩短测试程序开发的TAT,以转化为核心测试程序(支持ATL)
  • 使用多功能工具改善设备评估

全球SE和FS团队位于WW

  • 部署高度专业的全球支持基地,以保持解决方案的质量和可靠性
    例如:程序编码、调试、关联、维护
目标设备 DRAM 核心+老化
LPDDR 核心 + 老化
并行计数 系统 16,896 @ 48Slot × 352 DDR4 DIB
352:22ROW × 16COL (100MHz/200Mbps)
最大频率 100MHz/200Mbps
200MHz/400Mbps(许可选件)
OTA(整体定时精度) +/-500ps
DR/CP SKEW 500ps p-p
格式化通道 34DR + 27IO + 8DSEL(设备选择)
驱动程序 13,056 DR(34DR × 8child × 48B'd)
I/O 20,736 IO (27IO × 16child × 48B'd)
DSEL 3,072 DSEL(8DSEL × 8chid × 48B'd)
系统尺寸[mm] W:3,815 × D:2,150 × H:2,330
系统软件 FutureSuite

* OTA:整体计时精度

* DSEL:待测芯片选择