H5620/H5620ES
内存环境(高速老化BI)测试系统
由于服务器和移动应用主要引领了存储器的发展,并且市场也进入了一个超级周期,完全退出了以前的硅周期。
随着数据处理和移动通信的应用,存储器容量将继续扩增。然而,收入不会随着ASP的下降而增长。供应商需要降低测试成本并增加利润。
H5620集成了DRAM老化(BI)和核心(Core)测试的测试流程,有助于降低测试成本。这种混合存储器测试解决方案解决了在不断扩大的DRAM市场中降低测试成本的同时,提高测试效率的难题。
H5620
H5620ES
高通量
- 与T558x(512台设备)相媲美的高并行测试容量(16,896台设备)
装机条件优化
- 减少核心测试仪的配件、设备
- 减少生产空间
- 减少BI到核心测试之间的损失时间
- 支持全自动化(无人生产)
继承测试仪操作系统(FutureSuite)
- 缩短测试程序开发的TAT,以转化为核心测试程序(支持ATL)
- 使用多功能工具改善设备评估
全球SE和FS团队位于WW
- 部署高度专业的全球支持基地,以保持解决方案的质量和可靠性
例如:程序编码、调试、关联、维护
目标设备 | DRAM 核心+老化 LPDDR 核心 + 老化 |
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并行计数 | 系统 | 16,896 @ 48Slot × 352 DDR4 DIB |
板 | 352:22ROW × 16COL (100MHz/200Mbps) | |
最大频率 | 100MHz/200Mbps 200MHz/400Mbps(许可选件) |
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OTA(整体定时精度) | +/-500ps | |
DR/CP SKEW | 500ps p-p | |
格式化通道 | 34DR + 27IO + 8DSEL(设备选择) | |
驱动程序 | 13,056 DR(34DR × 8child × 48B'd) | |
I/O | 20,736 IO (27IO × 16child × 48B'd) | |
DSEL | 3,072 DSEL(8DSEL × 8chid × 48B'd) | |
系统尺寸[mm] | W:3,815 × D:2,150 × H:2,330 | |
系统软件 | FutureSuite |
* OTA:整体计时精度
* DSEL:待测芯片选择