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H5620/H5620ES

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内存环境(高速老化BI)测试系统

内存环境(高速老化BI)测试系统

由于服务器和移动应用主要引领了存储器的发展，并且市场也进入了一个超级周期，完全退出了以前的硅周期。

随着数据处理和移动通信的应用，存储器容量将继续扩增。然而，收入不会随着ASP的下降而增长。供应商需要降低测试成本并增加利润。

H5620集成了DRAM老化(BI)和核心(Core)测试的测试流程，有助于降低测试成本。这种混合存储器测试解决方案解决了在不断扩大的DRAM市场中降低测试成本的同时，提高测试效率的难题。

H5620
H5620ES

高通量

  • 与T558x（512台设备）相媲美的高并行测试容量（16,896台设备）

装机条件优化

  • 减少核心测试仪的配件、设备
  • 减少生产空间
  • 减少BI到核心测试之间的损失时间
  • 支持全自动化（无人生产）

继承测试仪操作系统（FutureSuite）

  • 缩短测试程序开发的TAT，以转化为核心测试程序（支持ATL）
  • 使用多功能工具改善设备评估

全球SE和FS团队位于WW

  • 部署高度专业的全球支持基地，以保持解决方案的质量和可靠性
    例如：程序编码、调试、关联、维护
Can be swiped left or right.
目标设备 DRAM 核心+老化
LPDDR 核心 + 老化
并行计数 系统 16,896 @ 48Slot × 352 DDR4 DIB
板 352 :22ROW × 16COL (100MHz/200Mbps)
最大频率 100MHz/200Mbps
200MHz/400Mbps（许可选件）
OTA（整体定时精度） +/-500ps
DR/CP SKEW 500ps p-p
格式化通道 34DR + 27IO + 8DSEL（设备选择）
驱动程序 13,056 DR (34DR × 8child × 48B'd)
I/O 20,736 IO (27IO × 16child × 48B'd)
DSEL 3,072 DSEL (8DSEL × 8chid × 48B'd)
系统尺寸[mm] W:3,815 × D:2,150 × H:2,330
系统软件 FutureSuite
  • *
    OTA：整体计时精度
  • *
    DSEL：待测芯片选择

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