NANDフラッシュ等不揮発性メモリ市場をターゲットとした3つの新製品を発表

株式会社アドバンテスト（本社：東京都千代田区　社長：吉田芳明、以下「当社」）は、NANDフラッシュを含む不揮発性メモリ・デバイスのテスト・コストと設備所有コストを削減可能な3つの新製品を発表しました。各製品の詳細は以下の通りです。

ウェーハ・テスト用メモリ・テスト・システム「T5230」

「T5230」は、NANDフラッシュを含む不揮発性メモリ・デバイス向けのテスト・システムです。あらゆるテスト・セル形状に対応するコンバインド・アレイ・アーキテクチャを採用し、ウェーハ・レベル・バーンイン（WLBI）テストやビルトイン・セルフ・テスト（BIST）といったウェーハ・テストにおいて、非常に高いコスト効率を実現します。テストヘッド1台あたりウェーハ上の最大1,024個のデバイスを同時測定可能な高い生産性に加え、フロア・スペースを最大86%削減します。システム・コントローラには複数のテスト・セルが接続されており、各テスト・セルは独立したウェーハ・テストが可能です。テスト・セルは一般的なシングル・ウェーハ・プローバへの接続をはじめ、複数のテスト・セルを1台のマルチ・ウェーハ・プローバに接続することもでき、フロア・スペースを最小化します。最大テスト・レート125MHz/250Mbpsのファンクション・テストにおいて、T5230は高度なタイミング精度、再現性、故障検出能力を保証します。

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  メモリ・テスト・システム「T5230」

メモリ・テスト・システム「T5851」用の第3世代プロトコルNAND向けシステム・レベル・テスト・モジュール「T5851-STM32G」

「T5851-STM32G」は、最大32Gbpsの高速システム・レベル・テストで、「UFS4.0」規格のUFS（コントローラを内蔵したNANDフラッシュメモリ）や、「PCIe Gen 5」対応のBGA*タイプの最新世代の高速プロトコルNANDフラッシュメモリをカバーします。既存の「T5851」と完全な互換性を持ちアップグレード可能なこのモジュールを用いることで、DUT（被試験デバイス）毎個別にテストを実施することができ、量産をはじめ認定、信頼性、特性評価に適しています。

*BGA：Ball Grid Array（球形の電極を格子状に配置した半導体パッケージ）

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  メモリ・テスト・システム「T5851」および「T5851-STM32G」

「T5835」向け高速ウェーハ・ソート・インタフェース・オプション

多機能メモリ・テスト・システム「T5835」のオプションとして開発された高速ウェーハ・テスト用インタフェースは、高速NANDフラッシュおよび不揮発性メモリのウェーハ・テスト向けインタフェースです。4096のI/Oチャネルに最大5.4Gbpsのスピードでウェーハ・プロービングを行うことが可能です。ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）に用いられるNANDフラッシュのデバイスにはますます高速な機能が要求され、パッケージ・レベルでのファイナル・テストだけでなく、ウェーハ工程でのダイ性能の評価とテストが必要とされています。この新オプションは、高速ウェーハ・プロービング・テストを可能にし、テスト・カバレッジを広げT5835の価値を一層高めます。

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  メモリ・テスト・システム「T5835」

なお、当社は上記3つの新製品を、12月13日～15日に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON Japan 2023」に出展いたします。
（ブース番号：1648）