Sub-2nmノードフォトマスク対応のMASK CD-SEM
微細化と複雑化が進む最先端デバイスのリソグラフィ工程では、多重露光によるマスク枚数の増加やパターン形状の高度化により、測定ポイント数が飛躍的に増加しています。
さらに、マルチビームマスクライターの導入や高性能コンピューティング技術の進展により、曲線パターンの設計が可能になり、曲率を考慮した新たな測定手法の導入も進んでいます。これらに伴い、マスク上のパターンと設計データとの微細な差異を正確に把握することが、これまで以上に重要な課題となっています。
E3660は、高精度かつ高速な測定を実現し、忠実性と再現性に優れたSEM画像および独自の測定ソリューションの提供により、EUV露光を始めとする最先端マスクやナノインプリント用マスターテンプレートの測定ニーズに応えます。
