次世代超高速DRAMのGDDR7、LPDDR6、DDR6を試験可能なメモリ・テスト・システム
AI、ハイ・パフォーマンス・コンピューティング（HPC）、エッジ・アプリケーションの需要拡大を背景に、メモリ技術はますます複雑化、高速化しています。T5801は、GDDR7、LPDDR6、DDR6などの超高速メモリの最新テスト技術に対応した先進的なプラットフォームです。
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高速メモリテスト性能：PAM3*方式では36Gbps、NRZ*方式では18Gbpsまで対応可能
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フロント・エンド・ユニット（FEU）構造を採用し、業界最高レベルのシグナル・インテグリティを提供
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次世代DRAM(LPDDR6, GDDR7, DDR6) およびメモリ・モジュール規格(MRDIMM, CAMM)のテストに必要な機能をハードウェアで実現
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フレキシブルなテスト・セルでエンジニアリングから量産まで対応
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＊PAM3, NRZ: 信号方式の一種。PAM3は3段階、NRZは2段階、の電圧レベルで信号を表現する。
